1.CK

差分时钟，带#表示的是低有效。ddr3.0协议规定最高时钟频率是1.066G.最低频率，在DLL打开的情况下是333M（DDLL关闭的情况下，没有更多的限制）

2.CKE

clk的使能信号，一般只会在低功耗下将这个信号拉低，其他情况下一般拉高。低功耗场景包含self refresh、precharge power down等模式 。

3.cs，片选，低电平有效，选中memory颗粒，选中不同的颗粒的化，比如选中4个颗粒，至少需要四个片选信号，一个rank往往对应多个颗粒，也就是选中多片，而一般一个cs信号只对应一片。DIMM有两个rank，正面一个rank，背面一个rank，每个rank又有多个颗粒。cs信号和CKE信号在某种程度上是对应的。

4.ODT：数据通路是否打开终端阻抗的信号（通常是针对写操作而言的，ODT信号类似前面的cs，cke等信号，一个rank有一组信号对应）

数据线是复用的，cs、cke、zq、odt等信号线是每一个rank都会单独有信号线与其对应。

5.RAS，CAS，WE低电平有效，这三组信号和上面的片选信号共同组成了DDR的命令信号组。

6.data mask，将数据关闭，这个信号为高的情况下，同一拍内数据是无效的。需要注意的是，DM是以byte为单位进行mask，对于16bit的数据位宽，存在两个byte，DMU表示的是mask高位，DML表示的是mask低位。

7.8个bank，对应三个信号线

8.地址信号线，颗粒最多16位，实际使用的时候根据容量来选择，可能用不到16位。

A10可用于auto precharge（自动关闭这个bank） ，一般来说，这个信号线是和读写一起进行的，也就是读写操作的时候，如果A10是高的情况下，会在读写操作只会自动将这一个bank关闭，或者把这个bank所对应的行关闭。

A12可用于进行burst chop操作，所谓burst chop操作就是一般来说ddr3.0的burst长度都是8，但是将这个信号拉起的时候burst长度是4，这个信号一般也只会在on the fly的模式（什么是on the fly模式？？）下使用，在这个模式下burst长度不是固定的，可以进行8、4之间的动态切换，而什么时候切换到4？就是依据这个信号进行切换。

9.注意reset不是针对memory阵列中的内容进行reset，而是对DDR中的寄存器进行reset

10.数据信号线，位宽有三种，4/8/16bit位宽，读写均用这两组信号，因此是双向的。

11.以8bit为例，一个DQS,一个DQM，8个DQ，组成了一组byte len。16bit的数据位宽的化就存在两组byte len，高位时U的后缀，低位是L的后缀（注意两组byte len就会存在DQMU和DQML两组信号）。

什么是DQM，也就是Data I/O Mask技术。

SDRAM DQM的解释，总算明白了_dqmycr_你来吻的博客-CSDN博客

12.这个信号和DQM复用一个信号线，需要通过寄存器来配置，一般不用，用的较多的是DQM。

13.Vddq，Vssq -> io的电压和地的电压；Vdd，Vss -> core的电压和地的电压；Vrefdq->数据线的参考电压（一般是0.5Vddq）；Vrefca->命令信号和地址信号的参考电压（一般是0.5Vddq）。

14.外接240欧姆电阻，接地，为颗粒内部终端阻抗电阻做校准作用。